CMP 슬러리

일반적으로 CMP (화학적-기계적 평탄화 또는 화학적-기계적 연마)는 포괄적으로 표면 평탄화 기술을 말합니다.

웨이퍼와 연마 패드 사이에 있는 슬러리에 압력이 가해져서 슬러리의 상관 작용에 의하여 웨이퍼의 표면이 평탄화 됩니다.

Diaphragm 혹은 Bellow 펌프에 의하여 만들어 지는 높은 shear force는 슬러리 이송시 파티클을 응집되게 합니다.

이러한 큰 파티클 및 응집된 파티클에 의해 생성된 마이크로 스크래치는 CMP 공정에서 불량을 일으키는 가장 큰 요인입니다.

Levitronix 펌프는 shear force가 낮게 설계되었기 때문에 CMP 적용에서 마이크로 스크래치를 최대 80%까지 감소시킬 수 있어 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있습니다!

CMP Process Tool
CMP Process Tool
Levitronix 펌프 시스템(녹색선)은 shear force가 낮게 설계되어 있어 파티클 응집이 증가되지 않습니다. 마이크로 스크래치를 80%까지 감소시킬 수 있어서 생산성을 현저히 향상시킵니다. 출처 : CT Associates
Levitronix 펌프 시스템(녹색선)은 shear force가 낮게 설계되어 있어 파티클 응집이 증가되지 않습니다. 마이크로 스크래치를 80%까지 감소시킬 수 있어서 생산성을 현저히 향상시킵니다. 출처 : CT Associates
Diaphragm 펌프를 사용하여 연마한 웨이퍼의 전형적인 마이크로 스크래치. 데이터 출처 : St. Lawrence Nanotech.
Diaphragm 펌프를 사용하여 연마한 웨이퍼의 전형적인 마이크로 스크래치. 데이터 출처 : St. Lawrence Nanotech.
Levitronix 펌프를 사용하여 연마한 웨이퍼의 감소된 마이크로 스크래치. 데이터 출처 : St. Lawrence Nanotech
Levitronix 펌프를 사용하여 연마한 웨이퍼의 감소된 마이크로 스크래치. 데이터 출처 : St. Lawrence Nanotech