CMPの紹介

化学的機械平坦化、または化学的機械研磨 (一般的にCMPと称される) は、グローバル表面平坦化技術である。この平坦化技術は、研磨液を用いて、圧力をかけながら、ウエハと研磨パッドの間の相対運動により、ウエハ表面を平坦化するものである。

ダイアフラムポンプやベローズポンプによって引き起こされる高いせん断力によって移送される研磨液は、スラリーの凝集を結果として生じます。これらの過大なパーティクルやスラリーの凝集によって発生したマイクロスクラッチは、CMPによる欠陥の最も重要な原因の一つである。

低せん断力設計のレビトロニクスポンプは、CMPシステムで最大80%のマイクロスクラッチを、減少させることが出来ます。したがって、お客様の歩留まり率を大幅向上させます。

CMPのプロセスツール
CMPのプロセスツール
レビトロニクスポンプシステムは、(緑線) 低せん断力のデザインを持っており、スラリーの凝集を増加させない。マイクロスクラッチを最大80%まで減らすことができるため、大幅に歩留まりを向上させる。 出典:CT Associates   縦軸:大きなパーティクル濃度の初期状態との比率、横軸:ポンプ循環回数
レビトロニクスポンプシステムは、(緑線) 低せん断力のデザインを持っており、スラリーの凝集を増加させない。マイクロスクラッチを最大80%まで減らすことができるため、大幅に歩留まりを向上させる。 出典:CT Associates   縦軸:大きなパーティクル濃度の初期状態との比率、横軸:ポンプ循環回数
ダイヤフラムポンプによって研磨されたウエハ表面の典型的なマイクロスクラッチ。データ提供:St. Lawrence Nanotech
ダイヤフラムポンプによって研磨されたウエハ表面の典型的なマイクロスクラッチ。データ提供:St. Lawrence Nanotech
レビトロニクスポンプを使用したウエハ表面の研磨によるマイクロスクラッチの減少。
レビトロニクスポンプを使用したウエハ表面の研磨によるマイクロスクラッチの減少。