CMP研磨液介紹

化學機械平坦化或化學機械拋光(通常縮寫為CMP)是一種廣域平坦化技術。在使用研磨液的情況下,施壓的同時通過矽片和拋光片之間的相對運動使矽片表面平坦化。

隔膜或膜盒泵產生的高剪切力輸送研磨液導致微粒凝聚。源自這些過大顆粒或微粒凝聚體的微劃痕是CMP期間產生瑕疵的最重要原因之一。

LEVITRONIX泵因其低剪切力設計可將CMP應用中產生的微劃痕減少80%之多,因此會顯著增加您的產量!

CMP製程設備
CMP製程設備
LEVITRONIX泵系統(綠線)的低剪切力設計不會使微粒凝聚增加。刮痕可減少80%,因而使產量顯著提高。來源:CT Associates
LEVITRONIX泵系統(綠線)的低剪切力設計不會使微粒凝聚增加。刮痕可減少80%,因而使產量顯著提高。來源:CT Associates
拋光矽片上的典型刮痕與隔膜泵。資料提供:St. Lawrence Nanotech
拋光矽片上的典型刮痕與隔膜泵。資料提供:St. Lawrence Nanotech
使用LEVITRONIX泵減少拋光矽片上的刮痕。資料提供:St. Lawrence Nanotech
使用LEVITRONIX泵減少拋光矽片上的刮痕。資料提供:St. Lawrence Nanotech